达林顿晶体管：它是什么？（达林顿配对）|英雄联盟菠菜app电气4U. - 英雄联盟菠菜app,英雄联盟赌钱网站,英雄联盟彩票官网首页

内容

什么是达灵顿晶体管？

达林顿晶体管（也称为a达林顿对）通过两种BJT的组合制造的电子元件（双极结晶体管）以这样的方式连接，即它允许非常大的当前的获得。这是通过复合扩增实现的，由此电流被第一晶体管然后通过第二晶体管进一步放大。

随着该复合结构的设计，该晶体管也被称为“达林顿对“。该晶体管的表现为单个单元晶体管，因为它只有一个发射器，收集器和基座。Darlington晶体管于1953年由Sidney Darlington发明。

如果是当前获得晶体管是β1和β2，达林顿对的总电流增益是β1β2。与正常晶体管相比，该晶体管的电流增益非常高。因此，该晶体管也被称为“超级测试晶体管“。

达林顿晶体管电路

达林顿晶体管由两个人组成PNP晶体管要么NPN晶体管背靠背连接。它是一个具有共同收集器端子的单个封装，用于两个晶体管。

第一晶体管的发射极端子与第二晶体管的基极端连接。因此，基本供应仅给予第一晶体管，并且输出电流仅从第二晶体管拍摄。因此，它仅由一个基础，发射器和收集器组成，如下图所示。

有两个晶体管Q1和Q2。

一世_B1=晶体管Q1的基极电流
一世_E1.=晶体管的发射极电流Q1
一世_B2.=晶体管的基极电流Q2
一世_E2.=晶体管的发射极电流Q2

在上图中，在一个封装中示出了两个晶体管。并且从这两个图中，晶体管封装的总基流电流（总输入电流）等于晶体管Q1的基极电流。

$\ [i_ {b1} = i_b \]$

类似地，封装的总发射极电流（总输出电流）等于晶体管Q2的发射极电流。

$\ [i_ {c2} = i_c \]$

V._BE1=基础 - 发射器电压晶体管Q1
V._BE2=晶体管Q2的基极 - 发射极电压

总基极 - 发射极电压是两个晶体管的基极发射极电压的求和。

$\ [v_ {be} = v_ {be1} + v_ {be2} \]$

β₁=晶体管的电流增益Q1
β₂=晶体管的电流增益Q2

达林顿晶体管的总电流增益是β_D.。晶体管的总电流增益是输出电流与输入电流的比率。

$\ [当前\，gain \，\ beta_d = \ frac {output \，current} {输入\，current} \]$

（1） $\ begin {arearation *} \ beta_d = \ frac {i_e} {i_b} = \ frac {i_ {e2}} {i_ {b1}} \ neat {arearation *}$

在晶体管中，发射极电流是基极电流和集电极电流的求和。并且集电极电流是碱基电流的β次。因此，通常是晶体管的形式，

$\ [i_e = i_c + i_b \]$

$\ [i_e = \ beta i_b + i_b \]$

（2） $\ begin {arearation *} i_e =（\ beta + 1）i_b \ neg {等式*}$

对于晶体管Q2，

$\ [i_ {e2} =（\ beta_2 + 1）i_ {b2} \]$

从公式 - （1），

$\ [\ beta_d = \ frac {（\ beta_2 + 1）i_ {b2}} {i_ {b1}} \]$

从电路图，晶体管Q1的发射电流等于晶体管Q2的基极电流。

$\ [i_ {e1} = i_ {b2} \]$

$\ [\ beta_d = \ frac {（\ beta_2 + 1）i_ {e1}} {i_ {b1}} \]$

对于晶体管Q1，

$\ [i_ {e1} =（\ beta_1 + 1）i_ {b1} \]$

$\ [\ beta_d = \ frac {（\ beta_2 + 1）（\ beta_1 + 1）i_ {b1}} {i_ {b1}} \]$

$\ [\ beta_d =（\ beta_2 + 1）（\ beta_1 + 1）\]$

$\ [\ beta_d = \ beta_1 \ beta_2 + \ beta_1 + \ beta_2 \]$

在上面的等式中，β的值₁β₂与β值相比非常大₁+β.₂。让我们举个例子，其中β₁= 100和β₂= 100。

在这种情况下，β₁β₂= 10000和β₁+β.₂= 200.因此，我们可以忽略β的价值₁+β.₂。达灵顿晶体管的增益是，

$\ [\ beta_d = \ beta_1 \ beta_2 \]$

PNP和NPN Darlington晶体管

如果达林顿对包括两个PNP晶体管，它会使PNP Darlington晶体管。如果达林顿对由两个NPN晶体管组成，它会使NPN Darlington晶体管。NPN和PNP Darlington晶体管的连接图如下图所示。

对于两种类型的晶体管，收集器端子很常见。在PNP晶体管中，基电流被给予第二晶体管的发射极端子。在NPN晶体管中，发射极电流被给予第二晶体管的基端。

与两个晶体管所需的空间相比，Darlington晶体管所需的空间较少。因为这里收集器端子对于两个晶体管很常见。

达林顿晶体管开关

假设我们想使用微控制器打开和关闭负载。为此任务，首先，我们使用普通晶体管作为开关，而第二，我们使用达林顿晶体管。此配置的电路图如下图所示。

在这种情况下，负载所需的电流为5A。并且微控制器可以仅绘制20mA电流到晶体管的基部。

现在，如果我们想要将5A电流绘制到负载，那么，

$\ [i_c（sat）= 5 a \]$

正常晶体管的电流增益β的值约为100。

$\ [\ beta = 100 \]$

并以饱和模式驱动该晶体管，基极电流的值等于至少，

$\ [i_b = \ frac {i_c（sat）} {\ beta} \]$

$\ [i_b = \ frac {5} {100} \]$

$\ [i_b = 50ma \]$

为了确保饱和条件和深度饱和，基本电流是该值的5倍。因此，基本电流的所需值为250mA。

但微控制器只能绘制到基座的20mA电流。因此，该负载不能通过该微控制器开启。

如果我们使用Darlington晶体管作为开关，请在这种情况下，负载电流保持在。但是Darlington晶体管β的当前增益_D.= 10000.现在，我们计算所需的基础电流，

$\ [i_ {bd} = \ frac {i_c（sat）} {\ beta_d} \]$

$\ [i_ {bd} = \ frac {5} {10000} \]$

$\ [i_ {bd} = 0.5ma \]$

并且对于深度饱和，我们需要5次这个值的基本电流。因此，在达林顿对的情况下基本电流的值为2.5mA。并且该电流足以通过微控制器绘制。

通过这种方式，如果我们使用Darlington晶体管作为开关，我们可以使用相同的微控制器运行相同的负载。

Tip120 Darlington晶体管

Tip120是NPN Darlington对，电流增益为1000.它是与Arduino和微控制器接口高电流负载的良好选择。

它有三个终端;PIN-1是基站，PIN-2是收集器端子，PIN-3是发射极端子。

PIN-1（基座）用于打开和关闭晶体管。电流流过Pin-2（收集器）通常与负载连接。并且电流通过PIN-3（发射器）正常连接到地面。

Tip120的集电极电流为5A。因此，它可以绘制最多5A的负载。收集器电流的峰值为8A。它不是设计用于连续运行8A。它只是一个峰值电流，可以在短时间内承受TIP120。

集电极 - 发射极电压（VCE）为60V。如果您需要更多的电压，则可以使用尖端系列的另一个晶体管，如Tip121和Tip122，可以分别在80V和100V上工作。

Tip120的等效电路如下图所示。

如何测试达灵顿晶体管？

为了测试Darlington晶体管（工作）或关闭（损坏）按照以下步骤操作。

第1步：您需要识别，基础，收集器和发射器终端。你必须知道它是PNP或NPN晶体管。这些步骤是指NPN Darlington对。测试引线对于PNP晶体管反转。

第2步：设置拨号数字万用表（dmm）在二极管象征。如果在万用表中不可用，请将万用表设置为低电平反抗模式。

步骤3：将万用表的正极连接有晶体管的基座端子，并将万用表的负极引线与集电器连接，然后连接到发射器。
如果晶体管正常运行，则万用表显示低HFE读数（晶体管电流增益）。

第四步：现在，反转引线并将正极连接到收集器和发射极端子。将负极与基座端子连接。
由于反向偏置测试，它显示开路或无限电阻。

达灵顿晶体管的优势

与正常晶体管相比，达林顿晶体管（即达林顿对）有几个优点。他们已在下面的列表中总结说：

达林顿晶体管的主要优点是高电流增益。因此，少量基极电流可以触发晶体管。
它提供高输入阻抗，转化为输出阻抗的等同降低。
这是一个包装。因此，与连接两个不同的晶体管相比，在电路板或PCB上易于配置。

达林顿晶体管的缺点

Darlington晶体管（即达林顿配对）的缺点已被概述在下面的列表中：

它具有较慢的开关速度。
与正常晶体管相比，基极电压几乎是两次。
由于高饱和电压，在这种应用中，它消散了高功率。
带宽是有限的。
Darlington晶体管在某个方面引入了相移频率在负反馈电路中。