MOS电容器|MOS电容C V曲线

首字母缩略词MOS代表金属氧化物半导体。一个MOS电容器是由一个半导体主体或基板，绝缘体和称为栅极的金属电极。实际上，金属是一种掺杂的N +多晶硅层，其表现为金属层。这介电材料在这之间使用电容器板是二氧化硅（SiO2）。金属用作电容器的一个板和半导体层，其可以是n型或p型作为另一板的作用。

这电容MOS电容器取决于电压应用在门终端上。通常，当施加栅极电压时，主体接地。
平带电压是与MOS电容相关的重要术语。它被定义为电容器板上没有电荷的电压，因此氧化物中没有静电场。施加的正栅极电压大于扁平带电压（V_GB.> V._FB.）然后在金属（聚硅）栅极和负电荷中诱导正电荷=“半导体”Href =“/半导体理论的半导体理论。唯一负电荷电子可作为负电荷可用，它们在表面上积聚。这被称为表面累积。

如果施加的栅极电压低于平带电压（V._GB.FB.）然后在聚硅栅极和氧化物和正半导体中的界面处诱导负电荷。

只有通过将带负电的电子远离表面从捐赠者敞开固定的正电荷来实现这一点。这称为表面耗尽。

这MOS电容器本身不是广泛使用的设备。然而，它是MOS晶体管的一部分，其是迄今为止最广泛使用的半导体器件。

下面给出MOS电容的MOS电容器的典型电容 - 电压特性，

电容与栅极电压（CV）图MOS电容器。平带电压（V_FB.）将累积区域与耗尽区分开。阈值电压（v_TH.）将耗尽区与反转区域分开。