PIN光电二极管|雪崩光电二极管

PIN二极管

PIN光电二极管是一种光电探测器，它可以将光信号转换成电信号。
这项技术是在二十世纪五十年代末发明的。这种二极管有三个区域。

有一个p区域，一个固有区域和一个n区域。与通常的p区和n区相比，p区和n区掺杂较重pn二极管．本征区域的宽度应大于法线的空间电荷宽度pn结．

的PIN光敏二极管操作带有应用的反向偏置电压当施加反向偏压时，空间电荷区域必须完全覆盖本征区域。通过光子吸收在空间电荷区产生电子空穴对。频率响应的开关速度光电二极管寿命与时间成反比。

较小的少数载流子寿命可以提高开关速度。对于响应速度非常重要的光电探测器应用，损耗区宽度应尽可能大，以满足小的少数载流子寿命，从而使开关速度也增加。这是可以实现的PIN光电二极管随着本征区域的插入，空间电荷宽度增大。正常PIN光电二极管的示意图如下所示。

雪崩光电二极管

雪崩光电二极管(不要与雪崩二极管)是一种能将信号转换成电信号的光电探测器，是雪崩研究发展中的开创性工作二极管主要是在60年代完成的。
雪崩光电二极管结构配置与PIN光电二极管非常相似。一个PIN光电二极管由三个地区-

1. p区,
2. 内在的地区,
3. n-region。

不同之处在于反向偏压的作用是非常大的，会引起碰撞电离。对于硅作为sc材料，a二极管需要100到200伏的电压。首先，在耗尽区通过光子吸收产生电子-空穴对。它们通过碰撞电离产生更多的电子空穴对。它们被迅速地扫出耗竭区域，即过境时间非常短。