可控硅或可控硅的串并联连接

如今,SCR可提供高达10 kV和3 ka的额定值。但有时我们面临需求,超过这些评级。在这种情况下,使用多于一个SCR的组合。SCR系列连接遇见高位电压需求和SCR的并行连接遇见高位当前的要求。这些系列和并联连接克拉或者如果所有SCR都充分利用,则晶闸管将有效地工作。虽然字符串中的所有SCR具有相同的评级,但它们的V-I特性彼此不同。这导致它们之间的低电压或电流分裂。因此,每个SCR都没有充分利用。因此,根据给定的表达式,字符串的效率始终小于100%

随着每个SCR处理的弦电压或电流中的SCR的数量,最小化。这种现象增加了串的可靠性,但减少了每个SCR的利用率。因此,弦效率降低。串的可靠性是通过通过表达给出的因子(DRF)来测量的

SCR系列操作

当运营时电压多个相同等级的可控硅被串联使用。我们知道,相同额定值的可控硅,可能会有不同的I-V特性,所以必然会发生不平等的分压。例如,如果两个SCR系列这能够单独阻止5kV,然后串应块10kV。但实际上这不会发生这种情况。这可以通过帮助验证这一点。让两个SCR的特征如图2所示。1。

所以我们可以从图中看到,对于相同的漏电流,发生不平等的电压划分。跨越SCR的电压1是V1但是,在scr上2是V2.V.2远低于v1.所以,可控硅2没有被充分利用。因此,字符串可以阻塞V1+ V.2= 8 kV,而不是10 kV,弦效率由= 80%给出。

提高效率a电阻器与每个SCR并行使用。这些的价值抵制使得每个SCR和电阻对的等同电阻将是相同的。因此,这将确保在每个SCR上进行平等的电压分割。但在实际不同的电阻等级中是非常难以使用的。因此,我们选择了一个抵抗的价值以获得最佳结果

其中,n =否。字符串中的scr
V.BM.=由SCR阻挡的电压,具有最小漏电流。
ΔI.B.=流过可控硅的最大和最小漏电流之差。
V.S.=横跨字符串的电压。
该电阻B称为静态均衡电路。但这种阻力不足以在接通和关闭期间均衡电压分割并关闭。在这些瞬态条件下,以维持各个设备的相等卷电容器一起使用电阻器与每个SCR并行。这就是缓冲电路,也称为动态均衡电路。另外,还可以增加一个二极管来改善动态均衡电路的性能。

SCR的并行操作

当工作电流超过SCR的各个电流额定值时,我们并行使用多个SCR。由于不同的V-I特性SCR的额定值在字符串中共享不等电流。让一个字符串由两个组成晶体管并行,如图2所示。1及其目前的评级1 ka。从V-I的V-I特性可以看出,对于操作体积V,电流通过SCR1是1 ka,通过scr2是0.8 ka。因此,SCR.2这里没有充分利用。虽然这些字符串理论上应该承受R卡,但它只能处理1.8 ka。因此,字符串效率= 90%。

由于当前划分时不平等克拉增加,它的温度也增加,这反过来降低抵抗性.因此,发生的进一步增加,这是一个累积过程。这被称为热'逃离',可以损坏设备。为了克服这个问题,SCR将保持在相同的温度。通过将它们安装在相同的散热器上可以实现这一点。它们应该安装在对称位置通量

设备的连接将是相同的。所以互感所有设备都是一样的。这将为每个设备提供相同的电抗。从而减少通过设备的电流水平的差异。另一种均衡交流电路中电流分配的方法是利用磁耦合电抗,如图- 2所示。

当我1= I.2然后,由于两个线圈连接在防并联的情况下,导致磁通量为零。所以电感两者的路径将是相同的。如果我1>我2然后将有一个结果的助焊剂。该助焊剂在Cols中引起EMF。如图1和2所示。因此,路径1中的电流相对,并且在路径2中,它由诱导的EMF辅助。从而减少了路径中的电流差异。

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