保护设备是保证设备可靠高效运行的一个重要方面。硅控制整流器(SCR)是一种非常微妙的半导体设备。所以我们必须在指定的等级中使用它来得到期望的输出。可控硅在运行过程中可能会面临过电压、过电流等不同类型的威胁。有不同类型的晶闸管保护方案可用于设备的令人满意的操作
- 过电压保护。
- 过电流保护。
- 高dv / dt的保护。
- 高di / dt的保护。
- 热保护。
过电压保护
它是最重要的保护方案，其他如晶闸管对过电压非常敏感。由于过电压瞬态而导致晶闸管失效的最大时间。
晶闸管可以受到内部或外部过电压。
内部过电压：晶闸管换向后，反向恢复电流突然衰减，产生高的di/dt，从而产生高的反向电压[as, V = L(di/dt)，因此di/dt越高，V就越大]，可能会超过额定导通电压，设备可能会损坏。
外部过电压：这些是由于闪电等供应线的各种原因引起的，浪涌条件（异常电压尖峰）等。外部过压可能导致晶闸管操作中的不同类型的问题，如漏电流的增加，接合部的永久性故障，不需要的开启设备等所以，我们必须抑制过电压。
保护措施：通过使用非线性可以最小化过电压的效果电阻称为金属氧化物变阻器等电压夹紧装置。在正常运行时，它提供高阻抗，并作用，因为它不存在于电路中。但是当电压超过额定电压时，它用作保护SCR的低阻抗路径。
过电流保护
由于电路中的不同类型的故障，过电流主要发生。由于我的过流2R损失将增加，产生的热量可能超过允许的极限，并烧毁设备。
保护措施：可控硅可以通过使用保护过流断路器(CB)和快速作用限流熔断器(FACLF)。由于断路器跳闸时间较长，故此可用于晶闸管的连续过载保护或长持续浪涌电流保护。但快速熔断器用于保护可控硅免受极短时间的高浪涌电流。
高dv / dt的保护
当晶闸管处于正向阻断状态时，只有J2交界处是反向偏见的，其充当电容器电容值C恒定j(结电容)。正如我们所知当前的通过电容遵循关系
因此漏电流通过J2只不过是通过设备的泄漏电流的连接点随着DV的增加而增加一种/ dt i.e.应用变化率电压穿过晶闸管。即使栅极信号不存在，此电流也可以打开设备。这被称为DV / DT触发，必须避免通过使用与设备并联的缓冲电路来实现。
保护措施：
缓冲电路：它由串联连接的电容器与电阻器连接，当S关闭时，当S关闭时，电压VS.应用于设备以及cS.突然。在第一次缓冲电路时表现得像短路。因此，设备上的电压为零。逐渐跨越CS.以缓慢的速度建立起来。所以DV / DT穿过晶闸管将保持允许的范围。
在接通晶闸管c之前S.完全充电，然后在晶闸管接通时，它通过SCR排出。这种放电电流可以借助于电阻（R.S.）与电容器串联连接（CS.)，使电流值和电流变化率保持在安全范围内。
高di / dt的保护
当晶闸管通过栅极脉冲打开时航空公司收取迅速地传播其交界处。但是，如果阳极电流的升高，即DI / DT大于电荷载体的扩展，则将发生局部的发热，称为局部热点。这可能会损坏晶闸管。
保护措施：为了避免局部热点，我们使用电感器与该装置串联，因为它防止通过它的电流的高速率变化。
高温保护
随着交界处的温度的增加，绝缘材料可能会失败。因此，我们必须采取适当的措施来限制温度升高。
保护措施：我们可以通过将晶闸管安装在散热器上的晶闸管来实现这一点，该散热器主要由铝（Al），铜（Cu）等的高导热率金属制成。主要是由于其低成本而使用铝（Al）。SCR有几种类型的安装技术，如引线安装，螺柱安装，螺栓安装，压配安装，压力组件安装等。
晶闸管的门保护
与晶闸管一样，栅极电路也应免受过电压和过电流保护。栅极电路的过电压可能导致错误触发，过电流可能导致高结温。
保护措施：过电压晶闸管保护通过使用a实现齐纳二极管并且可以使用电阻来保护栅极电路免于过电流。栅极电路中的噪声也可能导致错误触发，可以通过使用电阻器和a来避免并联电容器．一个二极管(D)可以与栅极串联或并联，以保护它免受高反向电压。
全面保护可控硅
铅安装：在这种安装技术中，SCR本身的壳体用作散热器。因此，不需要额外的热Zink布置。因此，这种晶闸管保护技术通常用于低电流施加，通常小于一个安培。
学生越来越多:晶闸管的阳极是螺纹螺柱的形式，螺柱被拧到金属散热器块上。
螺栓卸妆：这里，通过螺母螺栓机构，该装置连接到散热器。它主要用于中小型额定电路。
压配合安装:这种安装方法是将整个SCR插入金属块中。用于高功率电路中。
紧压包装安装:这种安装方式晶闸管保护是通过夹钳将晶闸管夹在散热片之间获得的。它适用于非常高的额定值电路。
