双晶体管型号的可控硅或可控硅gydF4y2Ba

可控硅的基本工作原理，易于被人理解gydF4y2Ba双晶体管型号的可控硅gydF4y2Ba，因为它是p层和n层的组合。gydF4y2Ba

这是pnpn晶闸管。如果我们把它通过虚线平分，我们就会得到两个晶体管即一个带有J的pnp晶体管gydF4y2Ba_1gydF4y2Ba和JgydF4y2Ba_2gydF4y2Ba另一个是与JgydF4y2Ba_2gydF4y2Ba和JgydF4y2Ba_3.gydF4y2Ba连接如下图所示。gydF4y2Ba

集电极电流与发射极电流的关系如下所示gydF4y2Ba

在这里,我gydF4y2Ba_CgydF4y2Ba集电极电流，IgydF4y2Ba_EgydF4y2Ba是发射极电流，IgydF4y2Ba_{国会预算办公室gydF4y2Ba}是正向漏电流，α是共基极正向电流增益与IgydF4y2Ba_CgydF4y2Ba和我gydF4y2Ba_BgydF4y2Ba是gydF4y2Ba

我在哪里,gydF4y2Ba_BgydF4y2Ba是基极电流，β是共发射极正向电流增益。gydF4y2Ba
我们来看晶体管TgydF4y2Ba_1gydF4y2Ba这个关系是gydF4y2Ba

这是晶体管TgydF4y2Ba_2gydF4y2Ba

现在，通过分析两个晶体管模型，我们可以得到阳极电流，gydF4y2Ba

由式(i)和(ii)，我们得到，gydF4y2Ba

如果外加栅极电流为IgydF4y2Ba_ggydF4y2Ba那么阴极电流就是阳极电流和栅极电流之和，即。gydF4y2Ba

通过替换I的值gydF4y2Ba_kgydF4y2Ba在(iii)中，gydF4y2Ba

从这个关系我们可以保证，随着价值的增加gydF4y2Ba向统一方向，相应的阳极电流会增大。现在的问题是如何做到gydF4y2Ba增加?下面是使用的解释gydF4y2Ba双晶体管型号的可控硅gydF4y2Ba．gydF4y2Ba
在第一阶段当我们施加栅极电流IgydF4y2Ba_ggydF4y2Ba，表示T的基电流gydF4y2Ba_2gydF4y2Ba晶体管也就是我gydF4y2Ba_B2gydF4y2Ba=我gydF4y2Ba_ggydF4y2BaT的发射极电流gydF4y2Ba_2gydF4y2Ba晶体管我gydF4y2Ba_E2gydF4y2Ba=我gydF4y2Ba_kgydF4y2Ba．因此，发射极电流的建立产生αgydF4y2Ba_2gydF4y2Ba作为gydF4y2Ba

基极电流的存在会产生集电极电流gydF4y2Ba

这个我gydF4y2Ba_C2gydF4y2Ba就是基电流I吗gydF4y2Ba_B1gydF4y2Ba晶体管TgydF4y2Ba_1gydF4y2Ba，会产生集电极电流，gydF4y2Ba

我gydF4y2Ba_C1gydF4y2Ba和我gydF4y2Ba_B1gydF4y2Ba导致增加gydF4y2Ba_C1gydF4y2Ba作为gydF4y2Ba因此,αgydF4y2Ba_1gydF4y2Ba增加。现在，新的基电流TgydF4y2Ba_2gydF4y2Ba是gydF4y2Ba，这将导致发射极电流增加gydF4y2Ba结果是αgydF4y2Ba_2gydF4y2Ba也增加，这进一步增加gydF4y2Ba．gydF4y2Ba
作为gydF4y2Ba,αgydF4y2Ba_1gydF4y2Ba再次增加。这种持续的正反馈效应会增加gydF4y2Ba朝着统一方向，阳极电流趋向于以非常大的值流动。此时的电流值只能由外部控制gydF4y2Ba电阻gydF4y2Ba的电路。gydF4y2Ba