基于晶体管结构的分类
点接触晶体管
这些是基于困难且不可靠的电气成型过程的基础工作的非常第一的锗晶体管，导致它们经常失败。此外，他们有一个共同的基础当前的增益α大于1并表现为负面反抗．
双极结晶体管（BJT）
BJTS.是晶体管具有三个终端（发射极，基座和收集器），因此具有双交叉，基极交界处和集电极基结。这些是电流控制的装置，其传导电流依赖于多数以及少数股票载体（因此双极）。
此外，这些可以是（i）NPN晶体管对于多个电荷载流子作为电子或（ii）PNP晶体管，具有多数电荷载体作为孔，这取决于其掺杂性质。除此之外，发现了许多其他类型的BJT
异质结双极型晶体管:
这些适用于高频应用，并具有由不同的半导体材料制成的发射器和基区。
肖特基晶体管或肖特基箝位晶体管:
这些设备使用肖特基屏障来避免晶体管饱和。
雪崩晶体管：
达林顿晶体管：
这些是晶体管，其中两个单独的晶体管以所得到的装置具有非常高的电流增益的方式级联。
多个发射极晶体管:
这的晶体管是专门为实现与非逻辑操作而设计的。
多个基础晶体管：
它用于通过建设性地添加信号，但随机噪声随机噪声添加信号，扩增极低的环境中存在的非常低电平信号。
扩散晶体管:
它们是通过在半导体材料中加入必要的掺杂剂而形成的。
场效应晶体管(FET)
这些是电压控制晶体管，其是三端子，其中栅极端子控制流动当前的在源极和漏极端子之间。这些也称为单极装置，因为它们的导通电流仅是由于它们可以是N沟道（大多数电荷载流子是电子）FET或P沟道（大多数电荷载体是孔）FET的大多数电荷载流子．更远，FETS.可以被归类为
结FET（JFETS）：
jfet可以pn jfet或金属半导体fet (mesfet)，这取决于它们是否具有pn或肖特基势垒结。
金属氧化物半导体fet (mosfet)或绝缘栅fet (igfet):
这些器件在其“门”终端下面有一个绝缘层，这导致非常高的输入阻抗。这在本质上可以是耗尽模式或增强模式，这取决于它们是否存在预先存在的通道，后者反过来影响它们在栅极电压存在或不存在时的行为。
双栅MOSFET (DGMOSFET):
这些在RF应用中特别有用，并且具有两个串行栅极控制。
高电子迁移率晶体管（HEMT）或异质结构FET（HFET）：
它们的特征在于存在杂连接，其在结合的两侧包括不同的材料，并且用于非常高的微波频率应用。这些装置的其他变化包括变质HEMT，假形象HEMT（PHEMT），诱导的HEMT，异质结构绝缘栅FET（HIGFET）和调制掺杂FET（MODFET）。
FinFETs:
这些是双栅极晶体管，其有效通道宽度由形成装置主体的薄硅'翅片决定。
垂直MOS（VMO）：
该器件在结构上与MOS器件相似，只是其中有v型槽，增加了器件的复杂性和成本。
umo场效应晶体管:
这些是基于沟槽结构的FET，除了它们具有“U'形槽而不是”V'形凹槽“之外，几乎类似于VMOS。
Trenchmos：
基于此技术的fet具有垂直结构，源极和漏极分别位于其顶部和底部。
金属氮化物氧化物半导体（MNO）：
这种晶体管是加载页的MOS技术，并使用氮化物作为绝缘层。
快速反向或快速恢复外延二极管fet (fredfet):
这些是超快fet与快速关闭能力的体二极管。
耗尽FET（DEPFET）：
这些FET形成在完全耗尽的基材上。
隧道场效应晶体管(TFET):
这些工作基于量子隧穿原理，广泛应用于低能电子学，包括数字电路。
离子敏感FET（ISFET）：
该FET利用溶液中的离子浓度来调节离子的量当前的流过它。这些装置广泛用于生物医学和环境监测领域。
生物敏感场效应et (BioFET):
在这些fet中，结合在栅极末端的生物分子改变其电荷分布并改变通道电导。这些器件之间有许多变体，如enfet, immunofet, genfet, dnafet, cpfet, beetlefet等。
纳米粒子有机记忆FET（NOMFET）：
这种FET模仿了神经元间信号传输的行为，并用于人工智能领域。
有机场效应晶体管(ofet):
这些fet具有基于薄膜晶体管概念的结构，并使用有机半导体作为通道。这些都广泛应用于生物可降解电子领域。
六角困境：
这些是具有它们的模具区域的FET，其由六角形的基本单元组成，其在增加沟道密度的同时降低模具尺寸。
碳纳米管FET（CNTFET）：
该FET包括由碳纳米管（单个或阵列）制成的通道而不是散装硅。
石墨烯纳米孔FET（GNRFET）：
这些FET使用石墨烯纳米为其通道的材料。
垂直狭缝场效应晶体管(VeSFET):
这些是具有垂直硅狭缝的双栅FET，除了两个较大的硅区域之间的硅的窄通道。
量子场效应晶体管(QFETs):
这些晶体管的特点是运算速度非常快，工作原理是量子隧穿。
倒置式FET（ITFET）：
这些装置的一部分从水平面垂直延伸。
薄膜Transitor (TFT):
弹道晶体管:
这些用于高速集成电路和使用电磁力。
电解质氧化物半导体FET（EOSFET）：
这些都有金属部分标准场效电晶体由电解质溶液代替，用于检测神经元活动。
基于功能的分类
小信号晶体管:
这些类型的晶体管尤其用于放大低电平信号（很少用于切换），并且可以是NPN或PNP本质上。
小型开关晶体管：
这些广泛用于切换目的，尽管它们可以用于扩增过程。这些晶体管可用于NPN和PNP形式。
电源晶体管：
在大功率应用中用作功率放大器，可以是npn或pnp或达林顿晶体管。
高频晶体管：
这些晶体管也被称为射频晶体管，用于小信号在高频下工作的高速开关设备。
光电晶体管:
这种二端光敏器件只不过是用光敏区代替基区的标准晶体管而已。
UNIICenction晶体管：
这些晶体管只用于开关，不适用于放大。
生物医学和环境晶体管:
这些用于生物医学和环境传感领域。
除此之外，还有一种绝缘栅双极晶体管(IGBT)，它结合了bts和fet的特性，因为它使用绝缘栅来控制充当开关的双极功率晶体管。也有由两个隧穿结组成的器件，它包围着一个被称为单电子晶体管(SETs)的门控岛。
某些晶体管，如无结纳米线晶体管(JNT)，甚至没有门结的存在，这导致了密度更大、成本更低的微芯片。最后，需要注意的是，这些只是数量的晶体管类型中，目前市场上的大量类型。
