光能转换电能是基于称为的现象光伏作用。什么时候半导体材料暴露于光，光线的一些光子被半导体晶体吸收，这导致晶体中的大量游离电子。这是由于光伏效果导致电力的基本原因。光伏电池是系统的基本单元，其中光伏效应用于从光能产生电力。硅是用于构造光伏电池的最广泛使用的半导体材料。硅原子有四个价电子。在实心晶体中，每个硅原子与另一个最近的硅原子共享四个价电子，因此在它们之间产生共价键。以这种方式，硅晶体得到四面体晶格结构。虽然在任何材料上撞击任何材料的一些部分的光被反射，但是一些部分通过材料传递并且休息被材料吸收。
当光落在硅晶体上时，同样的事情发生了。如果入射光的强度足够高，则晶体和这些光子的吸收足够数量的光子，反过来激发了共价键的一些电子。然后，这些激发的电子获得足够的能量来从价带迁移到导电带。随着这些电子的能量水平在导通带中，它们从共价键离开，留下每个被移除的电子的粘合剂中的孔。这些被称为自由电子随机地在硅的晶体结构内随机移动。这些游离电子和孔在创造电力方面具有重要作用光伏电池。因此，这些电子和孔称为光生电电子和孔分别。这些光产生的电子和孔单独不能在硅晶体中产生电力。应该有一些额外的机制来做到这一点。
当将诸如磷的五价杂质加入到硅中时，通过具有四个邻阳离子原子的共价键共用每个五价磷原子的四种价电子，第五个价电子不会有机会产生共价键。
然后，该第五电子与其父原子相对松散地界定。即使在室温下，晶体中可用的热能也足够大，以使这些相对松散的第五电子从其亲本磷原子脱离。虽然该第五个相对松散的电子从亲本磷原子中脱离，但磷原子不动态正离子。所述脱离的电子变得自由但在晶体中没有任何不完全的共价键或孔被重新结合。这些自由电子来自五价杂质，始终准备好进行电流半导体。虽然存在有自由电子的数量，但仍然物质是电中性的，因为锁定在晶体结构内的正磷离子的数量正常等于自由电子的数量。在半导体中插入杂质的过程称为掺杂，掺杂杂质被称为掺杂剂。赋予半导体晶体第五自由电子的五价掺杂剂称为供体。供体杂质掺杂的半导体称为n型或负类型半导体，因为有大量的自由电子通过性质负荷。
当代替五价磷原子时，将产生像硼这样的三价杂质原子，以将形成为与半导体的半导体晶体相反的半导体。在这种情况下，晶格中的一些硅原子将被硼原子代替，换句话说，硼原子将占据晶格结构中的替换硅原子的位置。硼原子的三个算子电子将与三个邻居硅原子的算子电子配对，以产生三种完全共价键。对于这种配置，对于每个硼原子将存在硅原子，第四个价电子将不会发现任何邻居算子电子以完成其第四个共价键。因此，这些硅原子的第四个价电子保持不存在并表现为不完全粘合。因此，在不完全粘合中将缺乏一个电子，因此不完整的粘合总是吸引电子以实现这种缺乏。因此，电子存在空位。
这个空缺在概念上称为正洞。在三价杂质掺杂半导体中，持续分化大量的共价键以完成其他不完全的共价键。当一个债券破损时，其中创建一个孔。当一个键完成时，其中的孔就会消失。以这种方式，一个孔似乎消失了另一个邻居洞。由于这种孔具有在半导体晶体内具有相对运动的。在此方面，可以是所述孔也可以在半导体晶体内部作为自由电子自由移动。当每个孔都可以接受电子时，三价杂质被称为受体掺杂剂，并且掺杂有受体掺杂剂的半导体称为p型或阳性类型半导体。
在n型半导体主要是自由电子携带负电荷和P型半导体主要主要的孔载有正电荷，因此n型半导体中的自由电子和p型半导体中的自由孔分别称为n型半导体和p型半导体中的多数载流子。
n型和p型材料之间总是存在潜在的屏障。这种潜在的屏障对于光伏或光伏的工作至关重要太阳能电池。虽然n型半导体和p型半导体彼此接触，但是靠近n型半导体接触表面的自由电子获得了大量的p型材料孔。因此，N型半导体中的自由电子靠近其接触表面的跳转到P型材料的相邻孔重组。不仅自由的电子，而是接触表面附近的N型材料的价电子也从共价键和重新组合，在p型半导体中具有更多附近的孔。随着共价键的破裂，将有许多在接触表面附近的n型材料中产生的孔。因此，近接触区域，P型材料中的孔由于另一个手孔上的重组而消失，在相同接触区域附近的n型材料中出现。这与P型从p型迁移到n型半导体的孔的迁移等同。因此，一旦一个n型半导体和一个p型半导体接触到从n型的电子接触电子将转移到p型和从p型的孔将转移到n型。这个过程很快，但不会永远继续。在一些瞬间之后，在与沿接触表面的接触相邻的p型半导体中将存在一层负电荷（过量电子）。 Similarly, there will be a layer of positive charge (positive ions) in the n-type semiconductor adjacent to contact along the contact surface. The thickness of these negative and positive charge layer increases up to a certain extent, but after that, no more electrons will migrate from n-type semiconductor toP型半导体。这是因为，虽然N型半导体的任何电子试图通过P型半导体迁移，但它面向足够厚的正离子层n型半导体本身就会在没有穿越它的情况下下降。类似地，孔不会从p型迁移到n型半导体。试图穿过p型半导体中的负层时的孔将通过电子重新组合，并且不再朝向n型区域移动。
换句话说，在n型侧的p型侧和正电荷层中的负电荷层一起形成一个屏障，其与电荷载流子迁移到另一侧相对。类似地，p型区域中的孔被保留从进入n型区域。由于正负带电层，将存在横跨该区域的电场，并且该区域称为耗尽层。
现在让我们来到硅水晶。当光线在晶体上撞击时，一些部分的光被晶体吸收，因此，一些价电子被激发并从可自由的电子 - 空穴对产生的共价键出来。
如果光线罢工n型半导体来自这种光产生的电子孔对的电子不能迁移到P区，因为它们不能由于耗尽层的电场排斥而越过电位屏障。同时，光产生的孔由于耗尽层的电场的吸引而过耗尽区域，其中它们重新组合电子，然后在这里缺少电子的缺失是由p区的价值的补偿，这使得这使得这使得这使得在P域中有很多孔。由于这种光产生的孔被移位到它们被捕获的P区域，因为一旦它们到达P区，由于潜在屏障的排斥，就不能能够回到n型区域。
当负电荷（光产生的电子）被捕获在一侧并且正电荷（光产生的孔）被捕获在电池的相对侧，将有一个潜在差异在细胞的这两侧之间。这种潜在的差异通常为0.5 V.这是一个方法光伏电池要么太阳能电池产生潜在的差异。
